RJH60F3DPQ-A0#T0

IGBT 分立，Renesas Electronics### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

Minimize the current at your gate with the IGBT transistor from Renesas. Its maximum power dissipation is 178500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. This device utilizes trench technology. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

得捷:
IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A

欧时:
IGBT 分立，Renesas Electronics### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-247A

Chip1Stop:
SILICON N CHANNEL IGBTHIGH SPEED POWER SWITCHING

DeviceMart:
IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A