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IXFB82N60Q3

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列

HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度


得捷:
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264


欧时:
MOSFET N-Ch 600V 82A Q3 HiPerFET PLUS264


贸泽:
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin3+Tab PLUS 264


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 82A; 1560W; PLUS264; 300ns


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264


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IXFB82N60Q3 IXYS Semiconductor
IXFB132N50P3 IXYS Semiconductor
IXFB210N30P3 IXYS Semiconductor
IXFB52N90P IXYS Semiconductor
IXFB110N60P3 IXYS Semiconductor
IXFB30N120P IXYS Semiconductor
IXFB120N50P2 IXYS Semiconductor
IXFB38N100Q2 IXYS Semiconductor
IXFB44N100P IXYS Semiconductor
IXFB40N110P IXYS Semiconductor
IXFB60N80P IXYS Semiconductor