2SD1898-Q

2SD1898-Q NPN三极管 100V 1A 100MHz 120~270 150mV/0.15V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 DFQ

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Features

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High VCEO, VCEO = 80V * High IC, IC = 1A DC * Good hFE linearity. * Low VCEsat.
Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 特点 *高VCEO VCEO=80V *高IC IC= 1A（DC） *良好的HFE线性。 *低VCE（SAT）。 ？结构 外延平面型 NPN硅晶体管