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IXGH40N120B2D1

IGBT 分立,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立,IXYS

### IGBT 分立元件和模块,IXYS

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


得捷:
IGBT 1200V 75A 380W TO247


欧时:
IXYS IXGH40N120B2D1 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
单晶体管, IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
IGBT 1200V 75A 380W TO247


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IXGH40N120B2D1 IXYS Semiconductor
IXGH10N100AU1 IXYS Semiconductor
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IXGH30N60BD1 IXYS Semiconductor
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IXGH32N60CD1 IXYS Semiconductor
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IXGH24N60A IXYS Semiconductor
IXGH32N60BU1 IXYS Semiconductor