TPCP8510

TPCP8510 NPN 180V 1A HEF=60~300 PS-8 代码 8510

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 120V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 60~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.14V 耗散功率PcPower Dissipation | 1.1V Description & Applications

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TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. * High-Speed, High-Voltage Switching Applications * DC-DC Converter Applications * High DC current gain: hFE = 120 to 300 IC = 0.1 A * Low collector-emitter saturation: VCE sat = 0.14 V max * High-speed switching: t f = 0.2 μs typ 描述与应用 | * 晶体管NPN硅外延型。 *高速，高电压开关应用 * DC-DC转换器应用 *高直流电流增益：HFE=120??300（IC= 0.1 A） *低集电极 - 发射极饱和：VCE（sat）= 0.14 V（最大值） *高速开关：T F=0.2微秒（典型值）