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Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 600V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 90mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 4.5Ω/Ohm @90mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| • n-channel • enhancement mode • Logic level • dv /dt rated • Pb-free lead-plating; RoHS compliant 描述与应用| •n沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv / dt的额定 •无铅引脚电镀，符合RoHS标准

得捷:
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89