AO3403

-30V,-2.6A,155mΩ,P沟道MOSFET

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.102Ω @-2.6A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.4V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS V = -30V ID = -2.6 A VGS = -10V RDSON < 130mΩ VGS = -10V RDSON < 180mΩ VGS = -4.5V RDSON < 260mΩ VGS = -2.5V 描述与应用| VDS（V）=-30V ID=-2.6 A（VGS=-10V） RDS（ON）<130mΩ（VGS=-10V） RDS（ON） <180mΩ（VGS=-4.5V） RDS（ON） <260mΩ（VGS=-2.5V）