KRA755E

KRA755E PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -100mA 0.2W HEF=80~200 R1=2.2KΩ R2=47KΩ SOT-563/TES6 标记PE 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO

Collector-Base VoltageVCBO | -50V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO

Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V

集电极连续输出电流IC

Collector CurrentIC | -100MA/-0.1A

基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 2.2KΩ

基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ

基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2

Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 0.0468

直流电流增益hFE

DC Current GainhFE | 80~200

截止频率fT

Transtion FrequencyfT | 200mhz

耗散功率Pc

Power Dissipation | 0.2w

描述与应用

Description & Applications | 　　切换应用程序。

　　接口电路和驱动电路的应用。

　　特性

　　内置偏置电阻。

　　简化了电路设计。

　　减少数量的零部件和制造过程。

　　高存储密度。

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