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12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、19mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

这种 12V、15mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

RθJA = 245°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。RθJA = 90°C/W（覆铜面积最大时的典型值）。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

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低导通电阻

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低 Qg和 Qgd

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超小尺寸

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1.53mm x 0.77mm

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薄型

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高度为 0.35mm

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集成静电放电 ESD 保护二极管

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额定值 > 4kV 人体模型 HBM

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额定值 > 2kV 组件充电模式 CDM

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无铅且无卤素

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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了 优化

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针对通用开关应用进行了 优化

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