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通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 110~220

管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV

耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W

Description & Applications| General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V ESD Rating − Machine Model: >400 V • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

描述与应用| 通用 NPN硅 特点 •湿度敏感度等级：1 •ESD额定值 - 人体模型：>4000 V ESD额定值 - 机器型号：> 400 V •这些器件是无铅，无卤素，无 BFR