RTR025P02

RTR025P02 P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 TY 低导通电阻 内置栅源保护二极管

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.07Ω @-2.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| Features Low On-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package TSMT3. 描述与应用| 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管。 小和表面贴装封装（TSMT3）