UPA507TE

UPA507TE P 沟道场效应管+肖特基二极管 SOT153 代码 ZA

场效应管类型 | P沟道 \---|--- MOS最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -20V MOS最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | ±8V MOS最大漏极电流Id Drain Current | -2.0A MOS源漏极导通电阻Rdson FET Drain-Source On-State Resistance | RDSon1 = 68 mΩ TYP. VGS = −4.5 V, ID = −1.0 A RDSon2 = 84 mΩ TYP. VGS = −2.5 V, ID = −1.0 A RDSon3 = 109 mΩ TYP. VGS = −1.8 V, ID = −1.0 A MOS开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 二极管类型 | 肖特基二极管 DIODE反向电压Vr Reverse Voltage | 30V DIODE平均整流电流Io Average Rectified Current | 1A DIODE最大正向压降VF Forward VoltageVf | 0.38V 耗散功率Pd Power Dissipation | 描述与应用 Description & Applications | 　与肖特基势垒二极管p沟道MOS场效应 　　对切换 　　1.8 V驱动可用金属氧化物半导体场效应晶体管 　　低开态电阻金属氧化物半导体场效应晶体管 　　低正向电压肖特基势垒二极管 技术文档PDF下载 | 在线阅读