IRGS4715DPBF

INFINEON  IRGS4715DPBF  单晶体管, IGBT, N通道, 21 A, 1.7 V, 100 W, 650 V, TO-263AB, 3 引脚 新

单 IGBT 高达 20A，

优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能

得捷:
IGBT 650V D2-PAK

欧时:
Infineon IRGS4715DPBF N沟道 IGBT, 21 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装

e络盟:
INFINEON  IRGS4715DPBF  单晶体管, IGBT, N通道, 21 A, 1.7 V, 100 W, 650 V, TO-263AB, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 21A 100000mW 3-Pin2+Tab D2PAK Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 21A 3-Pin D2PAK Tube

TME:
Transistor: IGBT; 650V; 21A; 100W; D2PAK

Newark:
# INFINEON  IRGS4715DPBF  IGBT, SINGLE, 650V, 21A, TO-263AB-3