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SiC 肖特基势垒二极管，ROHMSilicon Carbide SiC 肖特基势垒二极管的总电容电荷较小，可减少切换损耗，实现高速切换操作。### 二极管和整流器，ROHM Semiconductor

SiC 肖特基势垒，ROHM

Silicon Carbide SiC 肖特基势垒二极管的总电容电荷较小，可减少切换损耗，实现高速切换操作。

得捷:
DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB

欧时:
SiC Schottky barrier diode,650V,TO263AB

贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 20A DPAK

e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-263AB

艾睿:
Diode Schottky 650V 20A 3-Pin2+Tab LPTL T/R

安富利:
SiC Schottky 650V 20A 3-Pin LPTL

Verical:
Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin2+Tab LPTL T/R

儒卓力:
**SIC-D 650V 20A 1,35V TO263 **