PHT6N06T

NXP PHT6N06T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 10 V, 3 V

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 55V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.15Ω/Ohm @5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 2.0-4.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 8.3W Description & Applications| 描述与应用|

欧时:
N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors