TPCF8001

TPCF8001 N沟道MOSFET 30V 7A vs-8 marking/标记 F2A 高速开关/低导通电阻

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 7A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.023Ω/Ohm @3.5A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.3-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.5W Description & Applications| Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Low drain-source ON resistance: RDS ON = 19 mΩ typ. • High forward transfer admittance: |Yfs| = 8 S typ. • Low leakage current: IDSS = 10 μA max. VDS = 30 V • Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.5 V VDS = 10 V, ID = 1mA 描述与应用| 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •低漏源导通电阻RDSON）= 19mΩ（典型值） •高正向转移导纳：| YFS| =8 S（典型值） •低漏电流IDSS=10μ（最大值）（VDS=30 V） •增强模式：VTH =1.3到2.5 V （VDS=10 V，ID=1毫安）