RW1E014SN

RW1E014SN N 沟道场效应管 30V 1.4A SOT563 代码 PN 低导通电阻、高开关速度

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流Id Drain Current | 1.4A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | ID= 1.4A, VGS= 4V RDS=270~380mΩ 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1~2.5v 耗散功率Pd Power dissipation | 0.7W 描述与应用 Description & Applications | 　4 v驱动Nch MOSFET 　　1低导通电阻、高开关速度。 　　2内置g s保护二极管。