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FD200R12KE3HOSA1

晶体管, IGBT阵列&模块, 沟槽/场截止, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module

IGBT 模块 沟槽型场截止 单斩波器 1200 V 1050 W 底座安装 模块


得捷:
IGBT MODULE 1200V 1050W


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, 沟槽/场截止, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 5-Pin 62MM-1 Tray


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 5-Pin 62MM-1 Tray


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FD200R12KE3HOSA1 Infineon 英飞凌
FD2000046 Pericom Semiconductor 百利通
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FD200R12PT4_B6 Infineon 英飞凌
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