NSS1C200LT1G

PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

通用 PNP ，超过 1A，On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

得捷:
TRANS PNP 100V 2A SOT23-3

立创商城:
NSS1C200LT1G

欧时:
### 通用 PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100V LO VCESAT TRA PNP

艾睿:
If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the PNP NSS1C200LT1G BJT, developed by ON Semiconductor, is for you. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 710 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NSS1C200LT1G  TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V

Win Source:
TRANS PNP 100V 2A SOT-23