SSM6J501NU

SSM6J501NU P沟道MOS场效应管 -20V -10A 0.012ohm Vth:-0.3--1.0V UDFN6B marking/标记 SP1 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -10A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.012Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.3--1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power Management Switch Applications • 1.5V drive • Low ON-resistance: RDSON= 43.0 mΩ max @VGS = -1.5 V RDSON = 26.5 mΩ max @VGS = -1.8 V RDSON = 19.0 mΩ max @VGS = -2.5 V RDSON = 15.3 mΩ max @VGS = -4.5 V 描述与应用| 电源管理开关应用 •1.5V驱动 •低导通电阻RDS（ON）=43.0MΩ（最大）（@ VGS=-1.5 V） RDS（ON）=26.5MΩ（最大）（@ VGS=-1.8 V） RDS（ON）= 19.0MΩ（最大）（@ VGS=-2.5 V） RDS（ON）=15.3MΩ（最大）（@ VGS=-4.5 V）