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BR24L01AFVM-WTR

高可靠性系列EEPROM的I2C总线 High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

存储器格式Format - Memory| EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial \---|--- 存储器类型Memory Type| EEPROM 存储容量Memory Size| 1K 128 x 8 速度Speed| 400kHz 接口Interface| I²C,2 线串口 I²C, 2-Wire Serial 电源电压Voltage - Supply| 1.8 V ~ 5.5 V Description & Applications| AK93C45A / 55A / 65A / 75A 1K / 2K / 4K / 8Kbit Serial CMOS EEPROM Features 1 128 registers × 8 bits serial architecture. 2 Single power supply 1.8V to 5.5V. 3 Two wire serial interface. 4 Self-timed write cycle with automatic erase. 5 8 byte page write mode. 6 Low power consumption. Write 5V : 1.2mA Typ. Read 5V : 0.2mA Typ. Standby 5V : 0.1µA Typ. 7 DATA security Write protect feature WP pin . Inhibit to WRITE at low VCC. 8 Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8 9 High reliability EEPROM with Double-Cell Structure 10 High reliability fine pattern CMOS technology. 11 Endurance : 1,000,000 erase / write cycles 12 Data retention : 40 years 13 Filtered inputs in SCL•SDA for noise suppression. 14 Initial data FFh in all address. 描述与应用| AK93C45A/55A/65A/75A 1K /2K /4K/串行CMOS EEPROM的8Kbit 1)128个寄存器×8位串行架构。 2)单电源(1.8V至5.5V)。 3)两线串行接口。 4)自定时写周期自动擦除。 5)8字节页写模式。 6)低功耗。 写(5V):1.2毫安(典型值) 阅读(5V):0.2毫安(典型值) 待机(5V):0.1μA(典型值) 7)数据安全 写保护功能(WP引脚)。 抑制低VCC写。 8)小包装--- DIP8/ SOP8/ SOP-J8/ SSOP-B8/ MSOP-8 9)高可靠性的EEPROM的双单元结构 10)高可靠性的精细图案CMOS技术。 11)耐力:1,000,000擦除/写周期 12)数据可保持40年 13)过滤投入SCL•SDA噪声抑制。 14)初始数据FFh的所有地址

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BR24L01AFVM-WTR ROHM Semiconductor 罗姆半导体
BR2477A/HBN Panasonic 松下
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