HN4B04J

HN4B04J PNP+NPN复合三极管 -35V/35V -500mA/500mA 70~240 SOT-153/SMV 标记31 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -35V/35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -30V/30V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -500mA/500mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz/300MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 70~240 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| -100mV/100mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW Description & Applications| Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process Q1: • Excellent hFE linearity : hFE2 =25 Min. at VCE = −6V IC = −400mA Q2: • Excellent hFE linearity : hFE2 =25 Min. at VCE = 6V IC = 400mA • Excellent hFE Linearity : hFE IC = −0.1mA / hFE IC = −2mA = 0.95 typ. • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 描述与应用| 特点 •晶体管的硅PNP外延型（PCT工艺）硅NPN外延型（PCT工艺） Q1： •优秀的在HFE线性：HFE（2）=25（分钟）在VCE=6V IC=-400毫安 Q2： •出色的线性度：HFE HFE（2）=25（分钟）在VCE=6V IC =400毫安 •优秀的线性：HFE HFE（IC=-0.1毫安的）/ HFE（IC=-2毫安，）= 0.95（典型值） •音频通用放大器应用