IRFH5300TR2PBF

N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

N 通道功率 MOSFET，30V，

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN

欧时:
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRFH5300TR2PBF, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装

贸泽:
MOSFET MOSFT 30V 100A 1.4mOhm mx 50nC Qg

e络盟:
INFINEON  IRFH5300TR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.8 V

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R

Newark:
# INFINEON  IRFH5300TR2PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.8 V

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN / N-Channel 30 V 40A Ta, 100A Tc Surface Mount PQFN 5x6 Single Die