CIL10NR82KNC
0603 820nH ±10%
屏蔽 - 器 2.1 欧姆最大 0603(1608 公制) -
得捷:
FIXED IND 820NH 35MA 2.1 OHM SMD
艾睿:
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 35mA 2.1Ohm DCR 0603 T/R
儒卓力:
**CIL10N 820nH 35mA 10% MLT **
0603 820nH ±10%
屏蔽 - 器 2.1 欧姆最大 0603(1608 公制) -
得捷:
FIXED IND 820NH 35MA 2.1 OHM SMD
艾睿:
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 15Q-Factor Ferrite 35mA 2.1Ohm DCR 0603 T/R
儒卓力:
**CIL10N 820nH 35mA 10% MLT **
图片 | 型号 | 厂商 | 下载 |
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![]() | CIL10NR82KNC | Samsung 三星 | |
![]() | CIL10Y100KNC | Samsung 三星 | |
![]() | CIL10J1R8KNC | Samsung 三星 | |
![]() | CIL10J1R0KNC | Samsung 三星 | |
![]() | CIL10J1R2KNC | Samsung 三星 | |
![]() | CIL10J2R2KNC | Samsung 三星 | |
![]() | CIL10J3R3KNC | Samsung 三星 | |
![]() | CIL10J2R7KNC | Samsung 三星 |