SPD18P06P G

INFINEON  SPD18P06P G  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）

· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

欧时:
### Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

立创商城:
P沟道 60V 18.6A

贸泽:
MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

儒卓力:
**P-CH 60V 19A 130mOhm TO252-3 **

Win Source:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

DeviceMart:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3