射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML
RF Mosfet LDMOS 28 V 1.6 A 880MHz 20dB 47W NI-860C3
得捷:
RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin NI-860C3 T/R
| 图片 | 型号 | 厂商 | 下载 |
|---|---|---|---|
 | MRFE6P9220HR3 | Freescale 飞思卡尔 | |
 | MRFE6VS25GNR1 | Freescale 飞思卡尔 | |
 | MRFE6VS25LR5 | Freescale 飞思卡尔 | |
 | MRFE6S9200HR3 | Freescale 飞思卡尔 | |
 | MRFE6S9205HR3 | Freescale 飞思卡尔 | |
 | MRFE6S9130HR3 | Freescale 飞思卡尔 | |
| MRFE6S9135HSR3 | Freescale 飞思卡尔 | |
 | MRFE6S9046NR1 | Freescale 飞思卡尔 | |
 | MRFE6VP6300HSR3 | Freescale 飞思卡尔 | |
 | MRFE6VP8600HSR6 | Freescale 飞思卡尔 | |
 | MRFE6VP61K25HSR5 | NXP 恩智浦 |
