IRF5803TR

IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻 低栅极电荷

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -40V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 最大漏极电流IdDrain Current| -3.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.112Ω @-3.4A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0--3V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge 描述与应用| 超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷