TN0205A

N沟道20V的MOSFET N-Channel 20-V MOSFET

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 250mA/0.25A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1.2Ω/Ohm @250mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Low On-Resistance: 2.0 Ω Low Threshold: 0.9 V typ Fast Switching Speed: 35 ns 2.5-V or Lower Operation 描述与应用| 低导通电阻：2.0Ω 低门槛：0.9 V（典型值） 开关速度快：35纳秒 2.5 V或更低的操作

Win Source:
MOSFET N-CH