IKP15N65F5XKSA1

INFINEON  IKP15N65F5XKSA1  单晶体管, IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

欧时:
Infineon IKP15N65F5XKSA1 N沟道 IGBT, Vce=650 V, 30 A, 3引脚 TO-220封装

得捷:
IKP15N65 - DISCRETE IGBT WITH AN

e络盟:
单晶体管, IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 3-Pin TO-220 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Newark:
# INFINEON  IKP15N65F5XKSA1  IGBT Single Transistor, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3

Win Source:
IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3