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FM21L16-60-TG

F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗


得捷:
IC FRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II


欧时:
### F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Parallel 2M-Bit 3.3V 44-Pin TSOP-II


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FM21L16-60-TG Cypress Semiconductor 赛普拉斯
FM21WA4PA-K120 Molex 莫仕
FM21WA4SA-K121 Molex 莫仕
FM21W1SA-K121 Molex 莫仕
FM21L16-60-TGTR Cypress Semiconductor 赛普拉斯
FM21LD16-60-BG Cypress Semiconductor 赛普拉斯
FM21LD16-60-BGTR Cypress Semiconductor 赛普拉斯
FM21W1PA-K120 Molex 莫仕
FM21WA4P-K120 Molex 莫仕
FM2100 Rectron Semiconductor
FM21X474K101EIG Prosperity Dielectrics 信昌电子