UCC27201A
120V 升压 3A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 基于常见的 UCC27200/1 驱动器,但提供了一些增强功能。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压,这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输出为低电平。
UCC27200A 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值,而 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 TTL 的阈值。
两款器件均提供 8 引脚 SOIC D、PowerPad SOIC-8 DDA、SON-8 DRM、9 引脚 SON-9 DRC 和 10 引脚 SON-10 DPR 五种封装。
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- 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET
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- HS 引脚具备 -18V 的负电压处理能力
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- 最大启动电压:120V
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- 最大 VDD 电压:20V
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- 片载0.65V VF, 0.6Ω RD 自举二极管
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- 工作频率高于 1MHz
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- 20ns 传播延迟时间
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- 3A 吸收,3A 供电输出电流
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- 8ns 上升 / 7ns 下降时间 (采用 1000pF 负载时)
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- 1ns 延迟匹配
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- 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
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- 提供 8 引脚小外形尺寸集成电路 SOIC D、 PowerPADSOIC-8 DDA、SON-8 DRM、SON-9 DRC 和 SON-10 DPR 五种封装
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- –40°C 至 140°C 的额定温度范围
## 应用
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- 针对电信、数据通信和商业的电源
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- 半桥 应用 和全桥转换器
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- 隔离式总线架构
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- 两开关正激式转换器
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- 有源箝位正激式转换器
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- 高电压同步降压转换器
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- D 类音频放大器
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