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C3M0065090J

Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFETWolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率,并降低了冷却要求,以提高整体系统工作效率。• 增强模式 N 通道 SiC 技术 • 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V • 多个设备易于并行且易于驱动 • 高速切换,具有低接通电阻 • 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管,Wolfspeed

碳化硅功率 MOSFET

Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率,并降低了冷却要求,以提高整体系统工作效率。

• 增强模式 N 通道 SiC 技术

• 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V

• 多个设备易于并行且易于驱动

• 高速切换,具有低接通电阻

• 防闩锁操作


欧时:
### Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFETWolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率,并降低了冷却要求,以提高整体系统工作效率。• 增强模式 N 通道 SiC 技术 • 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V • 多个设备易于并行且易于驱动 • 高速切换,具有低接通电阻 • 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管,Wolfspeed


得捷:
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7


艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin7+Tab D2PAK Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; C3M™, SiC


Newark:
# WOLFSPEED  C3M0065090J  Power MOSFET, N Channel, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, 15 V, 2.1 V


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C3M0065090D CREE 美国科锐
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C3M0120090D CREE 美国科锐
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