2SC5825

2SC5825 NPN三极管 60V 3A 200MHz 120~390 200mV/0.2V TO-252/CPT3 marking/标记 C5825 功率晶体管 高速开关

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power transistor Features 1 High speed switching. Tf : Typ. : 30ns at IC = 3A 2 Low saturation voltage, typically Typ. : 200mV at IC = 2A, IB = 0.2mA 3 Strong discharge power for inductive load and capacitance load. !Applications Low frequency amplifier High speed switching Structure NPN Silicon epitaxial planar transistor 描述与应用| 功率晶体管 特点 1）高速开关。 （TF：典型：30ns的IC=3A） 2）低饱和电压，通常 （典型值200mV的IC=2A，IB =0.2毫安） 3）感性负载和放电功率强 电容负载。 应用！ 低频放大器 高速开关 结构 NPN硅外延平面型晶体管