STW42N65M5

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ，STMicroelectronics

欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

得捷:
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3

立创商城:
N沟道 650V 33A

贸泽:
MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp

e络盟:
STMICROELECTRONICS  STW42N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

富昌:
STW42N65M5 系列 N 沟道 650 V 79 mOhm MDmesh™ V MOSFET - TO-247

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; TO247

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

儒卓力:
**N-CH 650V 33A 79mOhm TO247-3 **

力源芯城:
650V,33A,N沟道MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 33A TO-247