RTQ035N03

RTQ035N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 QP

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.067Ω/Ohm @2.5A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Space saving−small surface mount package TUMT3. Low voltage drive 2.5V drive. 描述与应用| 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 节省空间的小型表面贴装封装（TUMT3）。 低电压驱动