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CBR08C101JAGAC

Kemet 0805 CBR 系列Kemet C0805 系列 C0G 电介质表面安装电容器具有较高的最高工作温度。 电子元件、组件与材料协会 EIA 将 C0G 电介质描绘为 I 类材料。 这个分类的元件为固定的陶瓷电介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于电容特性的 Q 和稳定性不太重要的频率鉴别电路。表面安装陶瓷片状电容器 超稳定 低损耗 I 类电容器,带锡 Sn 端接 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

Kemet 0805 CBR 系列

Kemet C0805 系列 C0G 电介质表面安装器具有较高的最高工作温度。 电子元件、组件与材料协会 EIA 将 C0G 电介质描绘为 I 类材料。 这个分类的元件为固定的陶瓷电介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于电容特性的 Q 和稳定性不太重要的频率鉴别电路。

表面安装陶瓷片状电容器

超稳定

低损耗

I 类电容器,带锡 Sn 端接

### 0805 系列

镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。

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CBR08C101JAGAC KEMET Corporation 基美
CBR04C220J5GAC KEMET Corporation 基美
CBR04C339C5GAC KEMET Corporation 基美
CBR04C208B5GAC KEMET Corporation 基美
CBR04C130J5GAC KEMET Corporation 基美
CBR04C100J5GAC KEMET Corporation 基美
CBR04C408B5GAC KEMET Corporation 基美
CBR02C129B3GAC KEMET Corporation 基美
CBR04C129B1GAC KEMET Corporation 基美
CBR04C279B1GAC KEMET Corporation 基美
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