BF2040

硅N沟道MOSFET四极管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 8V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 7V 最大漏极电流Id Drain Current| 10mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V 描述与应用| 硅N沟道MOSFET四极管 •低噪声，高增益控制 高达1GHz的输入阶段 •工作电压5V