IRLML6302PBF

INFINEON  IRLML6302PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V

P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，

Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

欧时:
### P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 0.6 ohm, -4.5 V, -1.5 V

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin Micro

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23

Newark:
# INFINEON  IRLML6302PBF  MOSFET Transistor, P Channel, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V