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thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

### 二极管和整流器，Infineon

立创商城:
650V 20A 1.5V@20A

得捷:
DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220-2

欧时:
### thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon

贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

艾睿:
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube

安富利:
ThinQ!™ Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon proprietary diffusion soldering process, already introduced with G3 is now combined with a new, more compact design and thin-wafer technology. The result is a new family of products showing improved efficiency over all load conditions, resulting from both the improved thermal characteristics and a lower figure of merit Qc x Vf.The new thinQ!™ Generation 5 has been designed to complement our 650V CoolMOS™ families: this ensures meeting the most stringent application requirements in this voltage range.

TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 157W; PG-TO220-2

Verical:
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube