MA2SD1900L

•肖特基势垒二极管（SBD））•硅外延平面型•超高速开关•（平均）正向电流IF（AV）= 200毫安整改•低正向电压VF <0.47 V•小反向电流IR<20μA

反向电压VrReverse Voltage| 20V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 200mA/0.2A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 470mV/0.47V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Schottky Barrier Diodes SBD • Silicon epitaxial planar type • For super high speed switching • Forward current Average IFAV = 200 mA rectification is possible • Low forward voltage: VF < 0.47 V • Small reverse current: IR < 20 μA 描述与应用| •肖特基势垒（SBD）） •硅外延平面型 •超高速开关 •（平均）正向电流IF（AV）= 200毫安整改 •低正向电压VF <0.47 V •小反向电流IR<20μA