IMD10A

IMD10A NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -500mA/100mA HEF=100~600 300mW/0.3W SOT-163/SMT6/SC-74 标记D10 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V/50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -500mA/100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 0.1KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 10KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio | 0.01 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio | 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 100~600 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200MHz/250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation | 300mW/0.3W Description & Applications | Features •Power management dual digital transistors •Two digital transistors in a SMT package. •Up to 500mA can be driver. •Low VCE sat of driver transistors for low power dissipation 描述与应用 | 特点 •电源管理（双数字） •两个数字晶体管在SMT包装。 •高达500mA的驱动程序。 •低VCE（sat）的低功耗驱动器晶体管