IPD20N03LG

IPD20N03LG N沟道MOSFET 30v 30A TO-252/D-PAK marking/标记 20N03L 低栅极电荷/高速开关

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30v \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 30A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.02Ω/Ohm @15A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 6W Description & Applications| N-Channel Logic Level Low on-resistance RDSon Excellent Gate Charge x RDSon product FOM Superior thermal resistance 175°C operating temperature dv/dt rated Ideal for fast switching buck converter 描述与应用| 逻辑电平 低导通电阻RDS（ON） 优秀的门占用×RDS上） 产品（FOM） 卓越的热电阻 175°C工作温度 dv / dt的额定 非常适于快速开关降压转换器？