Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3Pin3+Tab TO-220AB
Features
Advanced Trench IGBT Technology
Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications
Low VCEonand Energy per Pulse EPULSE™ for improved panel efficiency
High repetitive peak current capability
Lead Free package
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3-Pin3+Tab TO-220AB
TME:
Transistor: IGBT; 300V; 110A; 255W; TO220AB
| 图片 | 型号 | 厂商 | 下载 |
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