IKW50N65H5

INFINEON  IKW50N65H5  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

立创商城:
IKW50N65H5

贸泽:
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

儒卓力:
**IGBT 650V 50A 1.65V TO247-3 **