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IGW50N65F5FKSA1

INFINEON  IGW50N65F5FKSA1  单晶体管, IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ,600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C


得捷:
IGBT 650V 80A TO247-3


欧时:
Infineon IGW50N65F5FKSA1 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
单晶体管, IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
IGBT 650V 80A TO247-3 / IGBT 650 V 80 A 305 W Through Hole PG-TO247-3


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IGW50N65F5FKSA1 Infineon 英飞凌
IGW50N60H3FKSA1 Infineon 英飞凌
IGW50N60TFKSA1 Infineon 英飞凌
IGW50N65F5AXKSA1 Infineon 英飞凌
IGW50N65H5AXKSA1 Infineon 英飞凌
IGW50N65H5 Infineon 英飞凌
IGW50N60T Infineon 英飞凌
IGW50N60H3 Infineon 英飞凌
IGW50N65F5 Infineon 英飞凌
IGW50N60TPXKSA1 Infineon 英飞凌
IGW50N60TP Infineon 英飞凌