FQT1N80TF_WS

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT1N80TF_WS  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V

QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A， Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。

它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。

得捷:
MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

欧时:
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT1N80TF_WS, 200 mA, Vds=800 V, 3针+焊片 SOT-223封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

富昌:
800V, 0.2A, 20OHM, N-CH, SOT-223

Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT1N80TF_WS  Power MOSFET, N Channel, 200 mA, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V

DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223