MA2YD2100L

•肖特基势垒二极管（SBD）•硅外延平面型•高频整流•正向电流IF（AV）=1A•低正向电压VF <0.4 V

反向电压VrReverse Voltage| 15V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 1A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 400mV/0.4V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Schottky Barrier Diodes SBD • Silicon epitaxial planar type • For high frequency rectification • Forward current Average IFAV= 1 A rectification is possible • Low forward voltage: VF< 0.4 V 描述与应用| •肖特基势垒（SBD） •硅外延平面型 •高频整流 •正向电流IF（AV）=1A •低正向电压VF <0.4 V