STW77N65M5
STMICROELECTRONICS STW77N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 69 A, 650 V, 0.033 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N沟道 650V 69A
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MOSFET N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
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STW77N65M5 系列 N 沟道 650 V 38 mOhm MDmesh V 功率 Mosfet - TO-247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 69A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
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650V,69A,N沟道MOSFET
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MOSFET N-CH 650V 69A TO-247