UPA1731G

UPA1731G P沟道MOS场效应管 -30V 1mA 13毫欧 SO8 marking/标记 A1731 低导通电阻 电源管理应用

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 13mΩ@ VGS = -10V, ID = -5A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0~-2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| DESCRIPTION The uPA1731 is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and Li-ion battery protection circuit. FEATURES · Low on-resistance RDSon1 = 10.3 mW TYP. VGS = –10 V, ID = –5.0 A RDSon2 = 14.6 mW TYP. VGS = –4.5 V, ID = –5.0 A RDSon3 = 16.5 mW TYP. VGS = –4.0 V, ID = –5.0 A · Low Ciss : Ciss =2600 pF TYP. · Built-in G-S protection diode · Small and surface mount package Power SOP8 描述与应用| 说明 的uPA1731是P沟道MOS场效应晶体管 设计电源管理应用 笔记本电脑锂离子电池保护电路。 特点 ·低导通电阻 RDS（on）1 =10.3 mW的典型。 （VGS=-10V，ID= -5.0） RDS（on）2 =14.6 mW的典型。 （VGS= -4.5 V，ID= -5.0） RDS（on）3=16.5 mW的典型。 （VGS= -4.0 V，ID= -5.0） ·低CISS：西塞=2600 PF TYP。 ·内置G-S的保护二极管 ·小和表面贴装封装（电源SOP8）