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AFV121KGSR5

RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 17.4 @ 1090MHz, 50V, LDMOS, SOT1806

RF Mosfet LDMOS Dual 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 19.6dB 1000W NI-1230-4S GULL


得捷:
IC TRANS RF LDMOS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 112V 5-Pin NI-1230S T/R


安富利:
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHZ, 1000 W PE


RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 1000 W, Typ Gain in dB is 17.4 @ 1090 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1806


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AFV121KGSR5 NXP 恩智浦
AFV121KHR5 NXP 恩智浦
AFV141KGSR5 NXP 恩智浦
AFV141KHSR5 NXP 恩智浦
AFV141KHR5 NXP 恩智浦
AFV10700HR5 NXP 恩智浦
AFV10700HSR5 NXP 恩智浦
AFV121KHSR5 NXP 恩智浦